半導體activearea

N-channelactiveregion.•N-channelVt.•N-channelLDD.•N-channelS/D.P-channelactiveregion.•P-channelVt.•P-channelLDD.•P-channelS/D.Shallowtrench ...,由嚴永民著作·2011—尤其在ULSI的世代以後，元件之主動區(ActiveArea)面積更.加為縮小，淺溝槽隔離技術下應力所產生問題更為嚴重，更增加元件微.縮的挑戰。本研究即主要探討熱製程(Thermal ...,由余典衛著作·2009—降的後果，也一直是半導體製程中令人關心的問題。因此每一...

參考資訊如下
半導體製程技術之簡介簡介

N-channel active region. •N-channel Vt. •N-channel LDD. •N-channel S/D. P-channel active region. •P-channel Vt. •P-channel LDD. •P-channel S/D. Shallow trench ...

工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文

由 嚴永民 著作 · 2011 — 尤其在ULSI的世代以後，元件之主動區(Active Area)面積更. 加為縮小，淺溝槽隔離技術下應力所產生問題更為嚴重，更增加元件微. 縮的挑戰。本研究即主要探討熱製程(Thermal ...

第一章、緒論

由 余典衛 著作 · 2009 — 降的後果， 也一直是半導體製程中令人關心的問題。因此每一個半導. 體廠莫不 ... active area）間要彼此電性隔離。 這種隔離可以用熱氧化矽來製作，例如區域性氧化 ...

零基礎入門晶片製造行業--

2015年11月25日 — 答：Active Area, 即有源區，是用來建立電晶體主體的位置所在，在其上形成源、漏和柵極。兩個AA區之間便是以STI來做隔離的。 17. 在STI的刻蝕工藝過程 ...

CN1315193C

本发明的半导体组件结构特征在于包含：栅氧化层，位于衬底之上；栅极位于上述栅氧化层之上；斜有源区域(titled active area)，位于该衬底的中，该栅极的两侧； ...

電晶體的三個工作區

Home普物實驗實驗項目半導體元件的特性電晶體的三個工作區. 電晶體的三個工作區. 電 ... 2）主動區（active region）. 電晶體被拿來作為放大器使用時，即在主動區工作。 當 ...

半導體制造、Fab以及Silicon Processing的基本知識

在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化矽光罩即等接氮化矽蝕刻之後的局部場區氧化所形成的，而由於利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD'S ...

水平爐管個別原理

1.介電材料，應用為氧化層的蝕刻Mask。 2.不易被氧滲透可做為Field Oxide 製作時，防止晶片表面Active Area ... 半導體材料是一種電子元件的應用，因此只要材料或薄膜所承受 ...

当半导体PIE要知道的65个问题

答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。 17.在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些 ...